氦質譜檢漏儀 CVD 設備檢漏,滿足第三代半導體芯片量產
來源：伯東企業(上海)有限公司 閱讀：396 更新時間：2023-05-19 08:53
氦質譜檢漏儀 CVD 設備檢漏, 滿足第三代半導體芯片量產
上海伯東某客戶是一家以先進化合物半導體光電器件相關產品衍生智造為主業的創新型科技公司, 核心產品是物聯網, 5G 通訊, 安防監控等第三代半導體芯片. 芯片在生產過程中使用 CVD 設備做鍍膜處理, 在鍍膜過程中需要保持設備處于超高真空狀態, 這就要求腔體的泄漏率不能超過 1E-10 mbrl l/s.
CVD 設備檢漏要求
真空模式下, 漏率不能超過 1E-10 mbrl l/s
快速抽空, 清潔無損的檢漏
上海伯東氦質譜檢漏儀 CVD 設備檢漏方案
根據客戶 CVD 抽氣腔體大小和要求清潔無油的測試環境, 上海伯東推薦德國 Pfeiffer 無油干式氦質譜檢漏儀 ASM 340D 搭配日本 IWATA ISP-500C 渦旋干泵進行 CVD 設備檢漏.
檢漏過程: 真空模式檢漏, CVD 設備, 氦質譜檢漏儀 ASM340 D 和 ISP-500C 渦旋泵搭建為三通系統, 檢漏流程是先把 CVD 設備封閉, 再打開檢漏的接口, 然后啟動渦旋泵預抽腔體真空至 1500 Pa. 腔體真空度穩定在 1500 Pa 后, 啟動氦質譜檢漏儀, 設定檢漏儀漏率為 1E-10 mbrl l/s, 從腔體外面噴氦氣 He(在懷疑有漏的部位,比如閥門, 接口, 焊接處等地方), 如果漏率低于 1E-10 mbrl l/s, 則判定為設備泄漏率是合格的, 如果泄漏率高于 1E-10 mbrl l/s, 檢漏儀會報警, 并定點定量顯示噴氦氣的位置和漏率.
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型號 |
ASM 340 D |
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對氦氣的最小檢測漏率 |
5E-13 Pa m3/s |
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檢測模式 |
真空模式和吸槍模式 |
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檢測氣體 |
4He, 3He, H2 |
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啟動時間 min |
3 |
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對氦氣的抽氣速度 l/s |
2.5 |
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進氣口最大壓力 hPa |
25 |
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前級泵抽速 m3/h |
隔膜泵 3.4 m3/ |
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重量 kg |
45 |
結合了 Pfeiffer 與 Adixen 兩家檢漏儀的技術優勢, 上海伯東德國 Pfeiffer 推出全系列新型號氦質譜檢漏儀, 從便攜式檢漏儀到工作臺式檢漏儀滿足各種不同的應用. 氦質譜檢漏儀替代傳統泡沫檢漏和壓差檢漏, 利用氦氣作為示蹤氣體可定位, 定量漏點. 氦質譜檢漏儀滿足單機檢漏, 也可集成在檢漏系統或 PLC. 推薦氦質譜檢漏儀應用 >>
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